形成晶体薄膜的方法
其他有关事项
摘要
一种形成晶体薄膜的方法，它包括将为形成晶体薄膜的气态原料和能与原料起化学反应的气态卤氧化剂各自引入到装有基片的薄膜形成空间以形成薄膜，基片由按预定温度分布的非单晶材料的表面组成。
基本信息
专利标题 ：
形成晶体薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1047349A
申请号 ：
CN90102669.7
公开（公告）日 ：
1990-11-28
申请日 ：
1990-03-31
授权号 ：
CN1026599C
授权日 ：
1994-11-16
发明人 ：
石原俊一半那纯一
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杜日新
优先权 ：
CN90102669.7
主分类号 ：
C30B25/10
IPC分类号 ：
C30B25/10 C23C16/24 C23C16/48
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/10
反应室或衬底的加热
法律状态
2002-04-24 ：
其他有关事项
1994-11-16 ：
授权
1992-07-08 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-11-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1047349A.PDF
PDF下载
2、
CN1026599C.PDF
PDF下载
