薄膜电晶体的制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明是有关于一种薄膜电晶体的制造方法，是在形成一源极结构、一汲极结构、一通道结构后，不去除一第一光阻层，而直接于该第一光阻层上形成一第二光阻层，并藉以形成一半导体结构，并且，采用n型掺杂的非晶硅、多晶硅层或有机金属化合物取代金属作为该源极结构及该汲极结构的材料，以减少薄膜电晶体的制程步骤，因此可有效的提升阵列制程的制造良率，并进而降低液晶显示器的制造成本。
基本信息
专利标题 ：
薄膜电晶体的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101043006A
申请号 ：
CN200610065828.0
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏大荣高金字许嘉哲
申请人 ：
中华映管股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610065828.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件序号 : 101183800479
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2006100658280
公开日 : 20070926
号牌文件类型代码 : 1602
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利申请号 : 2006100658280
公开日 : 20070926
号牌文件类型代码 : 1602
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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