光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置
公开
摘要
本发明提供适合于在卷对卷方式的工艺中确保配置于比等离子体处理室靠下游的位置的成膜室的稳定的低压状态的光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置。本发明的制造方法是一边以卷对卷方式输送工件薄膜一边制造光学薄膜的方法，包含等离子体处理室中的工序和成膜室(第2成膜室)中的工序。等离子体处理室具有在输送方向上配置于比室内的等离子体源靠上游的位置的第1排气口。在等离子体处理工序中，经由第1排气口对等离子体处理室进行排气，并对工件薄膜进行等离子体处理。在成膜工序中，在经由成膜室的第2排气口对成膜室进行排气从而将成膜室内维持在比等离子体处理室内的压力低的压力的同时，利用干式覆膜法在工件薄膜上进行成膜。
基本信息
专利标题 ：
光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318282A
申请号 ：
CN202111093101.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
泽田成敏村上尚史宫本幸大伊藤帆奈美梨木智刚
申请人 ：
日东电工株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111093101.4
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56 C23C14/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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