制造薄膜线条的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明叙述了一种利用光刻厚的光致抗蚀剂，并继而电化选择生长金属的技术制造薄膜线条的方法。本发明的方法可以制得具有高分辨率的非常薄(2-10微米)的线条(8)，即侧壁面(9)几乎是垂直的，宽度的公差仅约一微米。这种结果是采取了下列措施取得的，即采用聚酰亚胺作厚的光致抗蚀剂(3)，让其经历特殊的固化期，采用特殊的干蚀刻工艺在聚酰亚胺层上制得凹座(6)，其后，在凹座(6)内制备线条(8)。
基本信息
专利标题 ：
制造薄膜线条的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102448A
申请号 ：
CN86102448.6
公开（公告）日 ：
1986-10-29
申请日 ：
1986-04-19
授权号 ：
CN1006597B
授权日 ：
1990-01-24
发明人 ：
吉亚姆比罗·弗拉里斯阿东尼奥·特萨尔维
申请人 ：
西门斯电信公司
申请人地址 ：
意大利米兰
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
孙令华
优先权 ：
CN86102448.6
主分类号 ：
H05K3/18
IPC分类号 ：
H05K3/18
法律状态
1994-02-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-03-06 ：
授权
1990-01-24 ：
审定
1988-08-31 ：
实质审查请求
1986-10-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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