有机半导体层的形成方法及有机薄膜晶体管
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的目的在于提高采用涂布法形成的有机半导体层的载流子迁移度，还在于抑制有机半导体层薄膜在反复测定(使用)时的特性波动、还有降低阈值、进而提高在基板上的有机半导体层薄膜的成膜性。本发明提供一种有机半导体层的形成方法，其特征在于，对在基板上形成的有机半导体材料薄膜的一部分进行了预处理后，进行热处理。
基本信息
专利标题 ：
有机半导体层的形成方法及有机薄膜晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812153A
申请号 ：
CN200510135764.2
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
平井桂田中达夫竹村千代子片仓利惠杉崎礼子
申请人 ：
柯尼卡美能达控股株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
陈昕
优先权 ：
CN200510135764.2
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/05
法律状态
2011-01-05 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058492753
IPC(主分类) : H01L 51/40
专利申请号 : 2005101357642
公开日 : 20060802
号牌文件序号 : 101058492753
IPC(主分类) : H01L 51/40
专利申请号 : 2005101357642
公开日 : 20060802
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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