一种有机薄膜晶体管及其制备方法

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摘要

本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子和光电子技术领域。有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：(1)、在形成有源漏极的基板上形成有机半导体层。(2)、在有机半导体层的远离基板的一侧形成有机绝缘层。(3)、干刻有机半导体层和有机绝缘层的凸起边缘。(4)、在有机绝缘层的远离有机半导体层的一侧形成栅极。此制备方法能够避免有机层脱膜，可获得高质量、厚度均一的有机绝缘层，得到的有机薄膜晶体管的电学性能更佳。

基本信息

专利标题：

一种有机薄膜晶体管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109088001A

申请号：

CN201811078943.0

公开（公告）日：

2018-12-25

申请日：

2018-09-14

授权号：

CN109088001B

授权日：

2022-04-12

发明人：

卢珂鑫刘兆平

申请人：

宁波石墨烯创新中心有限公司

申请人地址：

浙江省宁波市镇海区庄市街道中官西路1818号

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曾章沐

优先权：

CN201811078943.0

主分类号：

H01L51/05

IPC分类号：

H01L51/05 H01L51/40