本发明涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法，有机薄膜晶体管由栅极、绝缘层、第一层电极、半导体层、第二层电极依次层叠构成；第一层电极作为漏极时，第二层电极作为源极；第一层电极作为源极时，则第二层电极作为漏极；漏极和源极分别位于有机半导体层的两侧，并在有机半导体层两侧上下错开。这种结构的晶体管能诱导载流子离开绝缘层－半导体层界面附近的耗尽区，直接通过半导体的本体注入漏极，从而有利于载流子的注入，提高迁移率，增大输出电流。本发明所提出的结构还能使导电沟道长度达到与半导体层的厚度相当的程度，远小于传统薄膜晶体管结构所能达到的最小沟道长度，这可以减小薄膜晶体管器件的面积。