制备有机薄膜晶体管的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。
基本信息
专利标题 ：
制备有机薄膜晶体管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979913A
申请号 ：
CN200510129418.3
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴铉定具本原李相润郑银贞金周永慎重汉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张平元
优先权 ：
CN200510129418.3
主分类号 ：
H01L51/40
IPC分类号 ：
H01L51/40 H01L51/05
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1979913A.PDF
PDF下载
