一种有机薄膜晶体管及其制备方法

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摘要

本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子和光电子技术领域。有机薄膜晶体管的源漏极形成于基板的表面，源漏极之间形成有机半导体层，有机半导体层的远离基板的一侧形成有机绝缘层，有机绝缘层的远离有机半导体层的一侧形成有机抗溅射层，有机抗溅射层的远离有机绝缘层的一侧形成栅极。有机薄膜晶体管的制备方法是在有机半导体层的远离基板的一侧形成有机绝缘层。在有机绝缘层的远离有机半导体层的一侧形成由可交联高分子材料制成的有机抗溅射层。在有机抗溅射层的远离有机绝缘层的一侧形成栅极。制备过程中通过有机抗溅射层的形成，对有机半导体层和有机绝缘层进行保护，使得到的晶体管的电学性能更佳。

基本信息

专利标题：

一种有机薄膜晶体管及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109088000A

申请号：

CN201810964069.4

公开（公告）日：

2018-12-25

申请日：

2018-08-22

授权号：

CN109088000B

授权日：

2022-04-12

发明人：

卢珂鑫刘兆平

申请人：

宁波石墨烯创新中心有限公司

申请人地址：

浙江省宁波市镇海区庄市街道中官西路1818号

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

侯小锋

优先权：

CN201810964069.4

主分类号：

H01L51/05

IPC分类号：

H01L51/05 H01L51/40