包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法
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摘要
一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
基本信息
专利标题 ：
包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825651A
申请号 ：
CN200610003637.1
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金周永李恩庆李芳璘具本原朴铉定李相润
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
封新琴
优先权 ：
CN200610003637.1
主分类号 ：
H01L51/05
IPC分类号 ：
H01L51/05 H01L51/30 H01L51/40 C08L101/04
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法律状态
2009-07-15 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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