一种有机薄膜晶体管及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种有机薄膜晶体管，其包括混合层，其中，所述混合层从下至上依次包括半导体下层、氧化铜层和半导体上层；所述半导体下层和半导体上层为相同或不同的半导体材料。本发明所提出的含有氧化铜层的有机薄膜晶管，能够有效地调节有机薄膜晶体管阈值电压。这种调控方式无需依赖复杂的半导体掺杂和绝缘层表面修饰技术，是工艺简单，更适合商业应用的技术。
基本信息
专利标题 ：
一种有机薄膜晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113871535A
申请号 ：
CN202111093061.3
公开（公告）日 ：
2021-12-31
申请日 ：
2021-09-17
授权号 ：
CN113871535B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
聂国政李德琼陈智全许辉
申请人 ：
湖南工商大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区岳麓大道569号
代理机构 ：
深圳叁众知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李国强
优先权 ：
CN202111093061.3
主分类号 ：
H01L51/30
IPC分类号 ：
H01L51/30 H01L51/05 H01L51/40 B82Y30/00 B82Y40/00
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法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-01-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/30
申请日 : 20210917
申请日 : 20210917
2021-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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