形成导电图案的方法、薄膜晶体管及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种形成导电图案的方法，其中通过使用激光烧蚀法和喷墨法形成导电图案而不使用光刻工艺在低温下容易地形成导电图案，使用该方法制造的有机薄膜晶体管，以及制造有机薄膜晶体管的方法。形成平板显示器件中的导电图案的方法包括制备基底部件，在基底部件中形成具有与导电图案相同的形状的凹槽，通过将导电材料施加到凹槽中形成导电图案。基底部件具有包括具有凹槽的塑料衬底的结构和包括衬底和设置在衬底上并具有凹槽的绝缘层的结构。

基本信息

专利标题：

形成导电图案的方法、薄膜晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1825548A

申请号：

CN200510138091.6

公开（公告）日：

2006-08-30

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

徐旼彻具在本安泽金慧东F·乔格W·亨伯斯

申请人：

三星SDI株式会社;三星SDI德国有限责任公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明

优先权：

CN200510138091.6

主分类号：

H01L21/3205

IPC分类号：

H01L21/3205 H01L21/283 H01L21/336 H01L29/786 H01L51/05 H01L51/40

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3205

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理

法律状态

2012-12-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101482945570
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005101380916
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更后权利人 : 三星显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道龙仁市
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三星SDI德国有限责任公司
变更后权利人 : 三星SDI德国有限责任公司
登记生效日 : 20121108

2011-07-20 ：

授权

2010-02-17 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 三星SDI株式会社
变更后权利人 : 三星移动显示器株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20100115
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 三星SDI德国有限责任公司
变更后权利人 : 三星SDI德国有限责任公司

2008-01-30 ：

实质审查的生效

2006-08-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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