薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃～700℃，同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去附着物。

基本信息

专利标题：

薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1763915A

申请号：

CN200510112808.X

公开（公告）日：

2006-04-26

申请日：

2005-10-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

冈田充弘远藤笃史西村俊治长谷部一秀

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本国东京都

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200510112808.X

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/205 H01L21/285 H01L21/31 H01L21/3205 C23C16/44 C23C14/22