形成含氧化硅的薄膜的方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

一种形成氧化硅薄膜的方法，包括以下步骤：在反应室内提供处理基材；在减压下在50－400℃的基材温度下通过向该反应室中供入惰性气体而吹扫在该反应室内的气体，在相同的温度下和在减压下，通过将气态硅化合物脉冲式引入该反应室而使硅化合物吸附在该处理基材上，在相同的温度下和在减压下，用惰性气体吹扫该反应室中未吸附的硅化合物，在相同的温度下和在减压下，将含臭氧的混合气体的脉冲引入该反应室中并通过与吸附在该处理基材上的硅化合物发生氧化反应而产生氧化硅；和如有必要，重复步骤1)－4)以在该基材上获得所需的厚度。

基本信息

专利标题：

形成含氧化硅的薄膜的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101171366A

申请号：

CN200680014903.9

公开（公告）日：

2008-04-30

申请日：

2006-03-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

C·迪萨拉J·伽蒂诺柳田和孝塚田惠理铃木育夫

申请人：

乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

申请人地址：

法国巴黎

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

林柏楠

优先权：

CN200680014903.9

主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

C23C16/40 C23C16/455