形成多晶硅薄膜的方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种形成多晶硅薄膜的方法，包括：提供一形成多晶硅薄膜系统；提供一基板于该掩膜后方的该激光束的该行进路径上，该基板上形成有一非晶硅薄膜；以该激光束透过该掩膜对该非晶硅薄膜进行第一次激光照射，使对应该掩膜上的该多个第一透光区域的该非晶硅薄膜上的多个第一长条区域熔化；移除该激光束，使该熔化的该多个第一长条区域上的非晶硅薄膜形成一多晶硅薄膜；移动该基板一距离；以该激光束透过该掩膜对该多晶硅薄膜进行第二次激光照射；以及移除该激光束。本发明通过使用两次激光照射的连续侧向固化，并且通过掩膜设计以将激光光图形化以增加晶粒尺寸并提高了产量。

基本信息

专利标题：

形成多晶硅薄膜的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1992167A

申请号：

CN200510135272.3

公开（公告）日：

2007-07-04

申请日：

2005-12-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈宏泽陈昱丞朱芳村

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

中国台湾新竹县

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

梁挥

优先权：

CN200510135272.3

主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/268 C30B13/00