形成多晶硅薄膜装置的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种形成多晶硅薄膜装置的方法，包括以下步骤：提供一基板；形成一多晶硅薄膜于该基板上，其中该多晶硅薄膜具有朝一晶粒成长方向排列的多个硅晶粒；以及形成多个薄膜晶体管，每一该多个薄膜晶体管具有一信道区域，该信道区域是以该多晶硅薄膜的一部分所形成；其中至少一信道区域具有一信道方向平行该晶粒成长方向的等效平行信道区域，以及一信道方向垂直该晶粒成长方向的等效垂直信道区域。本发明提供一种形成多晶硅薄膜装置的方法，通过信道区域的设计而使得多晶硅薄膜装置上的薄膜晶体管呈现较佳电气特性均匀性。
基本信息
专利标题 ：
形成多晶硅薄膜装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101022091A
申请号 ：
CN200610007569.6
公开（公告）日 ：
2007-08-22
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱芳村陈昱丞
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200610007569.6
主分类号 ：
H01L21/84
IPC分类号 ：
H01L21/84 H01L21/20 G02F1/1362
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84
衬底不是半导体的，例如绝缘体
法律状态
2020-02-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20060216
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20190216
申请日 : 20060216
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20190216
2009-07-01 ：
授权
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2007-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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