多晶硅薄膜的制作方法

专利权的终止

摘要

一种多晶硅薄膜的制作方法，是先在基板上形成硅层，然后形成一热滞留层于硅层之上，接着，利用具有陡峭能量密度梯度的激光束，进行激光加热制程，以诱发部分硅层发生超级横向长晶行为。其中，热滞留层能在激光加热制程中，对硅层的结晶行为产生辅助加热的作用，以增长超级横向长晶的长度。最后，重复地移动激光束至基板不同位置，照射激光以完成整面基板的结晶制程。

基本信息

专利标题：

多晶硅薄膜的制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1983521A

申请号：

CN200510131794.6

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈昱丞林家兴陈宏泽

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510131794.6

主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/268 H01L21/00 B23K26/00 C30B30/00