单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置

专利权的终止

摘要

本实用新型主要涉及薄膜的制备设备。一种单/多晶硅薄膜制备装置，包括有真空镀膜机，其主要特点是还包括有在真空罐(3)内设有的工件车(2)的内侧固连有磁控溅射机构(6)，包括有靶盘(61)，磁控器(62)；在真空罐(3)上设有氩气入口(9)。本实用新型的有益效果是，由于组件中各膜层沉积都是在同一真空室体中进行，在保证光电转换效率的同时可以节省大量的时间，且根据不同工艺，利用该实用新型可以在计算机控制下连续完成光电转换组件的生产，因此便于工业化自动化硅膜及组件生产。

基本信息

专利标题：

单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720126102.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-10-09

授权号：

CN201128779Y

授权日：

2008-10-08

发明人：

范多旺范多进令晓明姚小明孔令刚王成龙

申请人：

兰州大成自动化工程有限公司;兰州交通大学

申请人地址：

730070甘肃省兰州市安宁西路88号

代理机构：

兰州振华专利代理有限责任公司

代理人：

张真

优先权：

CN200720126102.3

主分类号：

C30B35/00

IPC分类号：

C30B35/00 C30B23/00 C30B25/00 C30B29/06

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B35/00

未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置

法律状态

2017-11-24 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 35/00
申请日 : 20071009
授权公告日 : 20081008

2010-07-14 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003164969
IPC(主分类) : C30B 35/00
专利号 : ZL2007201261023
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 兰州大成自动化工程有限公司
变更后权利人 : 兰州大成科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 730070 甘肃省兰州市安宁西路88号
变更后权利人 : 730000 甘肃省兰州高新技术产业开发区(张苏滩575号)
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 兰州交通大学
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20100604

2008-10-08 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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