用于制备高纯多晶硅的装置

专利权的终止

摘要

一种用于制备高纯多晶硅的装置，包括通过管道顺序相连的金属蒸发炉、还原反应炉和尾气收集炉，在金属蒸发炉上设有氮气的进气口，在还原反应炉上设有以氮气作为载气的SiCl₄蒸汽的进气口，在尾气收集炉上设有出气口。本实用新型用于制备高纯多晶硅的装置由金属蒸发炉、还原反应炉和尾气收集炉构成，各设备独立运行，可增加原材料的利用率，降低成本，减少对环境的污染。利用本实用新型所涉及的设备，可实现用金属还原SiCl₄，得到6N级高纯多晶硅。

基本信息

专利标题：

用于制备高纯多晶硅的装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820059460.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-06-06

授权号：

CN201220975Y

授权日：

2009-04-15

发明人：

柳翠敖毅伟

申请人：

上海太阳能科技有限公司

申请人地址：

201108上海市闵行区莘庄工业区申南路555号

代理机构：

上海科盛知识产权代理有限公司

代理人：

杨元焱

优先权：

CN200820059460.1

主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B29/06 C01B33/027