一种高纯多晶硅硅芯连接结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高纯多晶硅硅芯连接结构，包括石墨底座、石墨帽、底装硅芯和上装硅芯，所述石墨底座上设置有石墨帽，所述石墨帽内贯穿安装所述底装硅芯，所述底装硅芯的上部设置有所述上装硅芯；所述底装硅芯的高度高于石墨帽的高度。相较于现有技术中采用石墨卡瓣作为连接件，该连接方式生产的多晶硅产品在近石墨卡瓣位置碳含量较高(俗称碳头料)，此部分产品品质较低，本实用新型通过底装硅芯与石墨底座(在石墨帽的作用下)直接固定整个硅芯(包括上装硅芯)，可减少碳头料，实现高纯多晶硅的生产。
基本信息
专利标题 ：
一种高纯多晶硅硅芯连接结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123267143.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
CN216737604U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
任长春徐丽丽王生红鲍守珍史正斌
申请人 ：
亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请人地址 ：
青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号
代理机构 ：
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张巨箭
优先权 ：
CN202123267143.3
主分类号 ：
C01B33/035
IPC分类号 ：
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下，或在存在热硅棒情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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