一种多晶硅铸锭用新型高纯涂层坩埚
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摘要

本实用新型公开了一种多晶硅铸锭用新型高纯涂层坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体内侧底部上表面依次为高纯石英粗糙层、中间氮化硅层、高纯涂层,所述高纯涂层上部为外层氮化硅层,所述高纯石英粗糙层、中间氮化硅层、高纯涂层及外层氮化硅层通过烧结致密化为层状结构;本实用新型的有益效果是:通过多层隔离,分别对坩埚和石英涂层杂质进行抑制隔离,可进一步降低坩埚底部杂质向多晶硅锭中扩散,提高多晶硅转换效率;提供的多晶硅锭,硅锭靠坩埚底部区域低少子区域短;桶盖和高纯浆料存放桶紧固时,利用密封垫增加密封效果,防止存放于高纯浆料存放桶的高纯浆料污染和表层固化。

基本信息
专利标题 :
一种多晶硅铸锭用新型高纯涂层坩埚
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020584942.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-20
授权号 :
CN212223147U
授权日 :
2020-12-25
发明人 :
高源栾晓东穆荣升谢炎
申请人 :
烟台核晶陶瓷新材料有限公司
申请人地址 :
山东省烟台市栖霞市迎宾路1928号
代理机构 :
北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙福岭
优先权 :
CN202020584942.X
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06  C30B29/06  C04B41/89  C04B35/14  C04B35/596  C04B35/622  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2020-12-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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