本发明提供了铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚的制备方法，包括提供坩埚本体，坩埚本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁；将氮化硅、硅溶胶和水混合形成第一混合液，将第一混合液滚涂在侧壁的内表面，形成第一氮化硅层，第一氮化硅层的表面粗糙度Ra小于20μm；将石英砂与水混合经研磨形成石英浆料，石英浆料与硅溶胶和水混合形成混合浆料，将混合浆料喷涂在第一氮化硅层上，形成石英层，石英层完全覆盖第一氮化硅层，石英层的表面粗糙度Ra为40μm‑60μm；将氮化硅、硅溶胶和水混合形成第二混合液，将第二混合液喷涂在石英层上，形成第二氮化硅层，第二氮化硅层表面粗糙度Ra为60μm‑80μm，得到铸锭单多晶用侧壁改良涂层坩埚。