局部涂层石英坩埚
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提供一种局部涂层石英坩埚,属于坩埚制造技术领域。在坩埚本体的底部外侧涂覆有诱发析晶层,诱发析晶层由诱发析晶相物质组成,其中,诱发析晶相物质包括氧化钙、氧化镁、氧化钛、氧化钡、碳酸钡、氧化锆、氧化铝中的至少一种。在高温拉晶过程中,诱发析晶层的诱发析晶物质可引发坩埚本体底部的石英由玻璃态转变成晶体态,在石英玻璃态转变为晶体态过程中,体积变化很小,诱发析晶层附着牢固,不会导致坩埚本体的底部开裂,晶体态石英具有高致密性且活性较低,可有效提高坩埚本体底部强度,在硅单晶拉制收尾阶段,可有效抵抗高温导致的底部变形,提高拉晶产出,提高所述坩埚本体的使用效率,降低生产成本。

基本信息
专利标题 :
局部涂层石英坩埚
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922012438.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-20
授权号 :
CN211079401U
授权日 :
2020-07-24
发明人 :
王建军李常国邓红何玉鹏
申请人 :
宁夏富乐德石英材料有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路23号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
郑重
优先权 :
CN201922012438.2
主分类号 :
C30B15/10
IPC分类号 :
C30B15/10  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2021-09-17 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/10
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏富乐德石英材料有限公司
变更后 : 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路23号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路23号
2020-07-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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