石英玻璃坩埚和石英玻璃坩埚的制造方法
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摘要
[课题]目的在于，提供一种石英玻璃坩埚，其能够防止因石英玻璃坩埚的大型化而产生的向直体部的内侧的倾倒、变形，进一步在具有特性不同的多个层的石英玻璃坩埚中，防止在这些层直接接触的交界部因密度差而产生的剥离；以及所述石英玻璃坩埚的制造方法。[解决手段]硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其特征在于，在具有直体部和底部的硅单晶提拉用石英玻璃坩埚中，在直体部上部密度低，在底部密度高。硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其具有直体部和底部，在包含多层的硅单晶提拉用石英玻璃坩埚中，在外层与内层接触的交界部处，各自的层的密度差为0.0014g/cm3以下。
基本信息
专利标题 ：
石英玻璃坩埚和石英玻璃坩埚的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110820040A
申请号 ：
CN201910725841.1
公开（公告）日 ：
2020-02-21
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN110820040B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
须藤俊明佐藤忠广北原江梨子北原贤
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨戬
优先权 ：
CN201910725841.1
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-03-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/10
申请日 : 20190807
申请日 : 20190807
2020-02-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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