单晶炉的石墨坩埚及其制造方法、坩埚组件和单晶炉

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摘要

本发明公开了一种单晶炉的石墨坩埚及其制造方法、坩埚组件和单晶炉，石墨坩埚包括本体，本体为石墨件且限定出盛放腔，盛放腔的壁面上具有开凿部，开凿部处形成有凹槽，凹槽沿本体的周向延伸以形成为环形结构，其中，对坩埚半成品、与坩埚半成品适配的石英坩埚以及盛装于石英坩埚内的熔汤进行热场模拟，得到熔汤的高温区的等温线，在本体的纵截面上，凹槽的形状适于与等温线的部分的形状相一致，坩埚半成品构造成在坩埚半成品的内壁面上加工出凹槽以形成本体，高温区的温度高于熔汤的其余任一区域的温度。根据本发明的单晶炉的石墨坩埚，可以降低熔汤边缘处的温度，从而降低熔汤氧含量，有利于提升晶棒品质。

基本信息

专利标题：

单晶炉的石墨坩埚及其制造方法、坩埚组件和单晶炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112708932A

申请号：

CN202011519963.4

公开（公告）日：

2021-04-27

申请日：

2020-12-21

授权号：

CN112708932B

授权日：

2022-05-17

发明人：

王双丽

申请人：

徐州鑫晶半导体科技有限公司

申请人地址：

江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

张文姣

优先权：

CN202011519963.4

主分类号：

C30B15/10

IPC分类号：

C30B15/10 C30B15/16 C30B15/20