坩埚组件
授权
摘要
本实用新型公开了一种坩埚组件，包括第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，第一坩埚内限定出盛放空间，第二坩埚设在盛放空间内且与第一坩埚共同限定出第一腔室，第三坩埚设在第二坩埚内且与第二坩埚共同限定出第二腔室，第三坩埚内限定出第三腔室。其中，第二坩埚上形成有第一连通孔以连通第一腔室和第二腔室，第一连通孔形成在第二坩埚的底部且邻近第二坩埚的R角设置，第三坩埚上形成有第二连通孔以连通第二腔室和第三腔室，第一腔室适于构造成下料区，第三腔室适于构造成晶体生长区。根据本实用新型的坩埚组件，有利于提升熔汤的均匀性，避免出现杂质击中，且便于保证生产稳定，具有良好的成晶率。
基本信息
专利标题 ：
坩埚组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021976408.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-10
授权号 ：
CN214060709U
授权日 ：
2021-08-27
发明人 ：
黄末陈翼刘奇高海棠刘林艳
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
肖阳
优先权 ：
CN202021976408.X
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2021-08-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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