一种坩埚定位辅助环及辅助组件
授权
摘要
本实用新型公开了一种坩埚定位辅助环及辅助组件；包括筒体部和承接部，所述承接部设置在筒体部一端位置，筒体部两端开口设置，承接部突出筒体部一端外表面设置，承接部沿筒体部外边面延伸一端距离设置；所述筒体部的外端面上设置有接触部；所述接触部包括第一接触面和第二接触面，所述第一接触面和第二接触面成一定角度设置；方案中通过将第一接触面和第二接触面设置为钝角，即可以使第二接触面在与筒体部下端连接时成内径缩小状态，使筒体部下端部能够快速稳定的放置在加热器上，并且由于第一接触面和第二接触面设置为钝角，即连接面处略微突出筒体部外侧表面，使辅助环在放入时不会进行晃动，保证了坩埚位置的精准性。
基本信息
专利标题 ：
一种坩埚定位辅助环及辅助组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122531930.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-20
授权号 ：
CN216304036U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王大庆
申请人 ：
成都新源汇博光电科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天府大道中段1388号1栋6层627号
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
马腾飞
优先权 ：
CN202122531930.8
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/28
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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