本申请涉及一种用于晶体生长的坩埚组件，属于晶体材料制备领域。该坩埚组件包括：坩埚主体；坩埚盖，所述坩埚盖内侧可设置籽晶；螺旋隔板组件，所述螺旋隔板组件设置在所述坩埚主体内，所述螺旋隔板组件的构造可形成螺旋气流通道。本申请的坩埚组件通过螺旋隔板组件设计，改变传统PVT法制备碳化单晶的气相传输方式，由传统的垂直向上传输转换为螺旋向上传输，实现对晶体生长过程中大颗粒杂质的有效格挡，降低晶体中的缺陷密度，提高晶体质量；并且不会造成气相向上传输困难，无需过高生长温度，降低能耗；本申请可以对真空下的气相传输起到控制作用，真空下的单晶生长速率快、生长温度低，且气相可以有序向上传输，生长的晶体缺陷少，降本增效。