长晶炉进气结构及长晶炉
实质审查的生效
摘要

本发明涉及晶体生长设备领域,公开了一种长晶炉进气结构及长晶炉,所述长晶炉进气结构包括炉体和端盖,炉体设有具有开口的反应腔体,端盖用于封闭开口,端盖设有测温通道,测温通道的一端与反应腔体连通,另一端设有测温窗,测温通道的通道壁设有用于向测温通道内部通入吹扫气的第二进气口。通过上述技术方案,在端盖的测温通道设置用于向测温通道内部通入吹扫气的第二进气口,第二进气口的进气从测温通道进入反应腔体,在流动过程中能够将已经进入测温通道的挥发物吹回至反应腔体内,并同时能够阻挡反应腔体内的挥发物进入测温通道,从而避免挥发物凝结在测温窗上,保证测温窗的洁净程度。

基本信息
专利标题 :
长晶炉进气结构及长晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318516A
申请号 :
CN202111599386.9
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
鲍慧强李宪宾王增泽井琳刘振洲刘冬冬乔建东杨帅刘素娟刘雪梅叶欣怡赵然
申请人 :
国宏中宇科技发展有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1204
代理机构 :
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 :
吴瑛
优先权 :
CN202111599386.9
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00  C30B28/12  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20211224
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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