长晶炉机架
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摘要

一种长晶炉机架,包括:多个铝挤型构件,多个铝挤型构件呈长型杆体并且各具有多个沟槽及多个穿孔,多个沟槽设置于铝挤型构件的至少一边,沟槽沿着铝挤型构件的长度方向延伸至两端并在铝挤型构件的对应的一边形成一开口,穿孔沿着铝挤型构件的长度方向延伸至两端,多个铝挤型构件呈水平状设置及直立状设置,沟槽及穿孔能通过连接结构相接组成一立体框架结构,能用以支撑长晶炉的组件;以及多个封板,嵌设于多个铝挤型构件之间。该铝挤型构件具有沟槽及穿孔,可不需加工孔洞即可供螺丝等连接结构锁固后形成框架结构,组装方便,制造成本低,且不导磁,不会被感应生热,并具较佳的散热效果。另外封板可为铝塑板,强度佳、重量轻,且不易变形。

基本信息
专利标题 :
长晶炉机架
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123042339.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-06
授权号 :
CN216427482U
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
张世镇
申请人 :
广运机械工程股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
李佳佳
优先权 :
CN202123042339.2
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-05-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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