拉晶炉的冷却装置以及拉晶炉
授权
摘要
本实用新型提供了一种拉晶炉的冷却装置和拉晶炉，其中所述拉晶炉的冷却装置包括至少一个具有中空结构的管道，所述中空结构中容纳有冷却液，所述管道位于拉晶炉的腔室中，所述管道的管壁上形成有多个凸起和/或多个凹陷。即所述冷却装置通过在管壁上形成凸起和/或凹陷，增加了换热面积，从而提高了冷却液的换热效率，降低了晶体的温度以及增加了晶体的温度梯度，因此，晶体的生长速度也得以提高。
基本信息
专利标题 ：
拉晶炉的冷却装置以及拉晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021535395.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
CN214168186U
授权日 ：
2021-09-10
发明人 ：
沈伟民王刚
申请人 ：
上海新昇半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区泥城镇云水路1000号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202021535395.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-09-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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