晶硅炉的成型炉底以及晶硅炉
授权
摘要
本实用新型涉及晶硅炉的成型炉底以及晶硅炉，其中，所述成型炉底包括：桶状本体，所述本体的环形侧壁上沿所述侧壁的圆周方向设置有两对以上排废口，其中每对排废口相对设置，并且所述排废口贯通所述环形侧壁；多个封堵，多个所述封堵分别用于堵塞所述排废口并保留其中的一对排废口开放。本实用新型实施例的晶硅炉的成型炉底，延长了使用寿命，进而降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
晶硅炉的成型炉底以及晶硅炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020091057.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-16
授权号 ：
CN211921749U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
赵贝王宗均李伟
申请人 ：
邢台晶龙电子材料有限公司
申请人地址 ：
河北省邢台市开发区南园区兴达大街
代理机构 ：
上海华诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐颖聪
优先权 ：
CN202020091057.8
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211921749U.PDF
PDF下载
