浮法硅晶片的制作工艺和设备
专利权的终止
摘要
一种浮法硅晶片的制作工艺，采取融熔、结晶成型、打磨切割连续工艺制取。将硅原料通过加料装置(1)加入到坩锅(2)中，坩锅内的温度设在高于硅熔点1421℃以上，固态的硅原料在1421℃以上熔化成液态硅，液态硅上方经加料口连续排除氩气或其他惰性气体，结晶区料槽(4)与坩锅排液口(3)相连通，槽内充满液态的锡金属或其他熔点低于硅熔点的合金为载体，靠近出料口温度高于硅的熔点1421℃，另一端的温度介于1421℃到400℃，当液态硅移至浮法成型区末端(4)时，液态硅会凝固成固态，结晶区上层相对靠近坩锅排液口(3)设置挡板(5)调节控制晶片的厚度，成型结晶硅片经冷却段(6)冷却、打磨抛光段(7)后，根据需要在切割晶片区(8)切割晶片。适用于浮法制取太阳能电池和半导体硅晶片。
基本信息
专利标题 ：
浮法硅晶片的制作工艺和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133194A
申请号 ：
CN200680001905.4
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
靳永钢
申请人 ：
靳永钢
申请人地址 ：
030006山西省太原市南外环街国际大都会北际花园E2楼B单元301室
代理机构 ：
山西太原科卫专利事务所
代理人 ：
温彪飞
优先权 ：
CN200680001905.4
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2015-04-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101604778815
IPC(主分类) : C30B 29/06
专利号 : ZL2006800019054
申请日 : 20060216
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20140216
号牌文件序号 : 101604778815
IPC(主分类) : C30B 29/06
专利号 : ZL2006800019054
申请日 : 20060216
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20140216
2010-12-08 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101133194B.PDF
PDF下载
2、
CN101133194A.PDF
PDF下载
