本发明公开了一种晶片清洗工艺，旨在采用喷淋的方式来清洗晶片，使晶片依次经过碱洗、碱洗、酸洗和氧化，依次除去晶片表面的大颗粒杂质、小颗粒杂质和金属杂质，最后再形成氧化层来保护晶片表面，其技术方案：一种晶片清洗工艺，包括如下步骤：步骤1：将晶片布置成水平姿态并使其水平旋转；步骤2：依次使用第一碱液、第二碱液、酸液和氧化剂溶液这4种药液对旋转中的晶片进行喷淋；所述第一碱液为含有氢氧化钠乙醇水溶液，所述第二碱液为氢氧化铵水溶液；步骤3：使用热氮气对晶片表面进行吹扫，属于半导体晶片加工技术领域。