单晶硅的制造设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
按■本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从面使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，■■状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板覆盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外铡的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅的制造设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034400A
申请号 ：
CN88108387.9
公开（公告）日 ：
1989-08-02
申请日 ：
1988-12-08
授权号 ：
CN1020481C
授权日 ：
1993-05-05
发明人 ：
神尾宽荒木健治岛芳延铃木真风间彰堀江重豪中滨泰光
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴秉芬
优先权 ：
CN88108387.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B35/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1995-02-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-05-05 ：
授权
1989-08-02 ：
实质审查请求
1989-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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