原料供给方法及单晶硅的制造方法
授权
摘要
一种原料供给方法，其具备：固化工序，使硅熔液的表面固化；投入工序，将固体原料投入到固化工序中所形成的固化部分；及融解工序，熔解固化部分及固体原料，投入工序在对硅熔液施加超过0T且0.05T以下的横磁场的状态下投入固体原料。
基本信息
专利标题 ：
原料供给方法及单晶硅的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111742086A
申请号 ：
CN201880086875.4
公开（公告）日 ：
2020-10-02
申请日 ：
2018-12-25
授权号 ：
CN111742086B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
川上垒横山龙介金原崇浩
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨戬
优先权 ：
CN201880086875.4
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20181225
申请日 : 20181225
2020-10-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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