硅熔液的对流图案控制方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉...
授权
摘要
一种对流图案控制方法，其具备使用加热部（17）加热石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）的工序以及对旋转中的石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）施加水平磁场的工序，在加热硅熔液（9）的工序中，使用两侧的加热能力不同的加热部（17）进行加热，所述两侧在从铅垂上方观察石英坩埚（3A）时，夹住通过石英坩埚（3A）的中心轴（3C）且与水平磁场中心的磁力线（14C）平行的假想线（9C），在施加水平磁场的工序中，通过施加0.2T以上的水平磁场，将与硅熔液（9）内的水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向固定为一方向。
基本信息
专利标题 ：
硅熔液的对流图案控制方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111918987A
申请号 ：
CN201980015987.5
公开（公告）日 ：
2020-11-10
申请日 ：
2019-02-27
授权号 ：
CN111918987B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
坂本英城杉村涉横山龙介松岛直辉
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘茜璐
优先权 ：
CN201980015987.5
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20190227
申请日 : 20190227
2020-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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