硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法
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摘要
一种硅熔液的对流模式控制方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液施加0.2T以上的水平磁场的工序，通过以使中心磁力线通过从石英坩埚的中心轴朝向水平方向偏离10mm以上的位置的方式施加水平磁场，固定硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向。
基本信息
专利标题 ：
硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112074626A
申请号 ：
CN201980015950.2
公开（公告）日 ：
2020-12-11
申请日 ：
2019-02-27
授权号 ：
CN112074626B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
松岛直辉横山龙介坂本英城杉村涉
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨戬
优先权 ：
CN201980015950.2
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-12-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20190227
申请日 : 20190227
2020-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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