硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法
授权
摘要
一种硅熔液的对流模式控制方法，其具备如下工序：获取在无磁场状态下旋转的石英坩埚内的硅熔液表面上的与石英坩埚的旋转中心不重叠的第1测量点的温度；确认第1测量点的温度呈现周期性变化；及在第1测量点的温度变化成为规定的状态的时机，将施加于硅熔液的水平磁场的强度设为0.01T，然后提高至0.2T以上，由此将硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流的方向固定为一方向。
基本信息
专利标题 ：
硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111971424A
申请号 ：
CN201980015952.1
公开（公告）日 ：
2020-11-20
申请日 ：
2019-02-27
授权号 ：
CN111971424B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
横山龙介杉村涉
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨戬
优先权 ：
CN201980015952.1
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-12-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20190227
申请日 : 20190227
2020-11-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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