制造单晶硅的设备
专利权的视为放弃
摘要
在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔的隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
基本信息
专利标题 ：
制造单晶硅的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1048900A
申请号 ：
CN90102475.9
公开（公告）日 ：
1991-01-30
申请日 ：
1990-03-30
授权号 ：
CN1018001B
授权日 ：
1992-08-26
发明人 ：
神尾宽荒木健治兼武岛芳延
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN90102475.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1993-11-24 ：
专利权的视为放弃
1992-08-26 ：
审定
1991-01-30 ：
公开
1990-12-05 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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