单晶生长装置
驳回申请决定
摘要
一对围绕盛放熔体的坩埚的线圈。当线圈受到激励从而使其磁力线沿轴向彼此相对时，就形成了具有椭圆形等磁场分布的磁场。当适当选择了激励磁电流时，就形成了限制上部熔体热对流的磁场，同时熔体的下部则发生热对流。当熔体液面由于拉制单晶而降低时，对磁场进行控制，以使热对流限制区和热对流区之间的边界得到相应的降低。
基本信息
专利标题 ：
单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85106561A
申请号 ：
CN85106561
公开（公告）日 ：
1987-03-25
申请日 ：
1985-08-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松谷欣也
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市幸区堀川镇72番地
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN85106561
主分类号 ：
C30B15/22
IPC分类号 ：
C30B15/22 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制
法律状态
1989-07-19 ：
驳回申请决定
1987-03-25 ：
公开
1986-01-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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