带移动保温的单晶生长设备及单晶生长方法
公开
摘要
本发明提供一种带移动保温的单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、侧加热器、底加热器、导流筒、水冷套、坩埚支撑装置、侧保温层、底保温层及保温层移动装置；侧加热器位于坩埚的周向外侧，底加热器位于坩埚的底部，导流筒自坩埚的外侧延伸到硅料的上方；水冷套延伸到炉体内部；坩埚支撑装置与坩埚的底部相连接；侧保温层位于侧加热器及炉体的内壁之间，底保温层位于底加热器的下部；保温层移动装置与底保温层和/或侧保温层相连接，在单晶生长的不同阶段，通过改变所述底保温层与所述侧保温层之间的相对位置改变热场下部温度。本发明有助于控制晶棒内氧杂质含量以提高晶棒生长质量，且有助于缩减热场冷却时间以增加单晶生产产能。
基本信息
专利标题 ：
带移动保温的单晶生长设备及单晶生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592238A
申请号 ：
CN202011401119.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈松松张楠薛忠营魏星
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202011401119.1
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00 C30B15/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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