单晶连续生长装置
公开
摘要
单晶连续生长装置是单晶连续生长的设备，其特征为拉晶、退火连续进行。本实用新型是把拉晶炉和退火炉合为一体，由温度控制装置控制，实现热连续。拉晶头可以是一个，也可以是多个。本实用新型可以有效地节约投资，节约能耗，提高劳动生产率。
基本信息
专利标题 ：
单晶连续生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86200234.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-01-31
授权号 ：
CN86200234U
授权日 ：
1986-10-22
发明人 ：
施仲坚李惠章刘金龙
申请人 ：
中国科学院声学研究所
申请人地址 ：
北京市中关村路5号
代理机构 ：
中国科学院声学研究所专利办公室
代理人 ：
崔茹华
优先权 ：
CN86200234.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1986-10-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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