单晶生长设备
授权
摘要
一种单晶生长设备，包括反应腔室(106)、上盖(110)、上开盖组件(111)、下盖(113)和下开盖组件(114)，上盖(110)和下盖(113)分别可开闭地设于反应腔室(106)的顶部和底部，分别用于密封反应腔室(106)的顶部开口和底部开口，上开盖组件(111)与上盖(110)连接，用于开闭上盖(110)，下开盖组件(114)与下盖(113)连接，用于开闭下盖(113)。本实用新型能够解决单晶生长炉单一开盖方式装卸料带来的操作空间要求大、晶体品质下降、污染环境等问题。
基本信息
专利标题 ：
单晶生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920852497.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-06
授权号 ：
CN210420254U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
廖凤英
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN201920852497.8
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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