类单晶生长炉

授权

摘要

本实用新型公开了一种类单晶生长炉，包括坩埚、盖板和挡气板。坩埚具有收容硅料的腔室，盖板盖设于坩埚，挡气板设于所述坩埚内，物料位于挡气板和坩埚底壁之间，挡气板的边缘具有导向部，导向部适于将气体从导向部的下方引导至导向部的上方。根据本实用新型的类单晶生长炉，通过在坩埚内设置具有导向部的挡气板，由此可以将坩埚内的气流导引至腔室的上部空间，从而可以避免杂质停留在籽晶的表面，从而可以改善籽晶的质量。

基本信息

专利标题：

类单晶生长炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021648587.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-10

授权号：

CN213327934U

授权日：

2021-06-01

发明人：

王全志

申请人：

苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区鹿山路199号

代理机构：

北京景闻知识产权代理有限公司

代理人：

么立双

优先权：

CN202021648587.4

主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B29/06 C30B28/06 C30B11/00