密封装置及长晶炉
授权
摘要
本实用新型涉及晶体生长设备领域，公开了一种密封装置及长晶炉，所述密封装置包括基座和端盖，基座设有具备开口的容置腔室，端盖用于封闭或打开开口，基座和端盖中的一者设有多个电磁体，基座和端盖中的另一者设有与多个电磁体配合的多个铁磁体，多个铁磁体与多个电磁体一一对应设置并均匀环绕开口，基座和端盖中的一者还设有环绕开口的密封圈。通过上述技术方案，在基座和端盖分别设置多个电磁体和多个铁磁体，从而通过电磁体与铁磁体的吸附力使端盖封闭开口，并快速的压紧环绕开口的密封圈以实现密封，省时省力，且在端盖封闭开口时，由于多个铁磁体与多个电磁体均匀环绕开口，因此密封圈受力均匀，不会产生密封不牢靠的情况。
基本信息
专利标题 ：
密封装置及长晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123303779.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
CN216639716U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
李宪宾鲍慧强王增泽刘振洲井琳刘冬冬刘素娟李龙远葛明明赵然
申请人 ：
国宏中宇科技发展有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1204
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴瑛
优先权 ：
CN202123303779.9
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/36 F16J15/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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