连续拉晶双层坩埚
授权
摘要
本实用新型公开了一种便于硅料连续添加，能够有效避免硅料添加影响单晶拉伸品质的连续拉晶双层坩埚。该连续拉晶双层坩埚，包括外层坩埚和内层坩埚筒；所述内层坩埚筒位于外层坩埚内；所述内层坩埚筒的侧壁外侧与外层坩埚的内壁之间具有进料夹层；所述外层坩埚的下端具有环形锥面；所述内层坩埚筒的下端与环形锥面的内壁连接；所述内层坩埚筒的下端与环形锥面之间设置有通孔；所述内层坩埚筒的侧壁内设置有隔热层；所述外层坩埚内壁的中间位置以及内层坩埚筒的外壁上均设置有安装凸台；所述安装凸台上安装有漏板。采用该连续拉晶双层坩埚能够实现单晶硅的连续拉伸；能够有效的提高生产效率，保证产品质量。
基本信息
专利标题 ：
连续拉晶双层坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022051831.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN213203273U
授权日 ：
2021-05-14
发明人 ：
陈五奎陈昊陈嘉豪陈辉
申请人 ：
乐山新天源太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
四川省乐山市乐山高新区建业大道888号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李玉兴
优先权 ：
CN202022051831.5
主分类号 ：
C30B15/12
IPC分类号 ：
C30B15/12 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
C30B15/12
双坩埚法
法律状态
2021-05-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
