制备半导体单晶用的双层坩埚
专利申请的视为撤回
摘要
本发明涉及半导体生长用的双层坩埚，它由内、外坩埚组成，内坩埚环状壁为倒置的截圆锥筒状、截棱锥简状其中的一种，内坩埚上口直径(指拉晶尚未进行时液面处的内坩埚直径)为外坩埚直径的倍。其下口直径为外坩埚直径的
倍。在内坩埚的接近双层坩埚底处的环状壁上至少有一个小孔。优点是能拉制出掺杂剂轴向分布均匀的半导体晶体，且结构简单，易于制造，成本低，对半导体原料形状无特殊要求，便于拉晶时观察和操作。
基本信息
专利标题 ：
制备半导体单晶用的双层坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1065105A
申请号 ：
CN91101682.1
公开（公告）日 ：
1992-10-07
申请日 ：
1991-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王体虎秦福李英春
申请人 ：
北京有色金属研究总院
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京市第三专利代理事务所
代理人 ：
母宗绪
优先权 ：
CN91101682.1
主分类号 ：
C30B15/12
IPC分类号 ：
C30B15/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
C30B15/12
双坩埚法
法律状态
1995-02-15 ：
专利申请的视为撤回
1994-01-12 ：
实质审查请求的生效
1992-10-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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