制备半导体单晶用的双层坩埚
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本实用新型涉及半导体生长用的双层坩埚，它由内、外坩埚组成，内坩埚环状壁为倒置的截圆锥筒状、截棱锥筒状其中的一种，内坩埚上口直径(指拉晶尚未进行时液面处的内坩埚直径)为外坩埚直径的内坩埚的接近双层坩埚底处的环状壁上至少有一个小孔，优点是能拉制出掺杂剂轴向分布均匀的的半导体晶体，且结构简单，易于制造，成本低，对半导体原料形状无特殊要求，便于拉晶时观察和操作。
基本信息
专利标题 ：
制备半导体单晶用的双层坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN91204133.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1991-03-21
授权号 ：
CN2087322U
授权日 ：
1991-10-23
发明人 ：
王体虎秦福李英春
申请人 ：
北京有色金属研究总院
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京市第三专利代理事务所
代理人 ：
母宗绪
优先权 ：
CN91204133.1
主分类号 ：
F27B14/10
IPC分类号 ：
F27B14/10
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F27
炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉
F27B
一般馏炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉；开式烧结设备或类似设备
F27B
一般馏炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉；开式烧结设备或类似设备
F27B14/00
坩埚炉或罐式炉；浴炉
F27B14/08
坩埚炉、罐式炉或浴炉特有的零部件
F27B14/10
坩埚的
法律状态
1999-10-06 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1996-05-01 ：
专利权有效期的续展(依据修改前的专利法第45条)
1992-05-20 ：
授权
1991-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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