用于类单晶制备的坩埚及铸锭炉
授权
摘要

本实用新型公开了一种用于类单晶制备的坩埚及铸锭炉,其中所涉及的坩埚包括底壁以及自所述底壁四周向上延伸与所述底壁共同围设形成收容腔的侧壁,所述底壁朝向所述收容腔的一侧表面凹陷形成有用以安置单块籽晶并对该所述籽晶进行定位的定位槽;基于本实用新型所提供坩埚的具体结构,在类单晶铸锭的籽晶铺设过程中,通过定位槽能快速实现单块籽晶的准确定位,如此坩埚内整个籽晶层可具有较好的铺设质量,进而铸锭得到较高质量的类单晶硅锭;而且由于坩埚内籽晶定位容易实现,还可以避免现有技术中因籽晶位置调整造成坩埚受损的情况。

基本信息
专利标题 :
用于类单晶制备的坩埚及铸锭炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922326331.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-23
授权号 :
CN211339733U
授权日 :
2020-08-25
发明人 :
陈伟丁云飞李林东王全志陈志军
申请人 :
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张炜平
优先权 :
CN201922326331.5
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2020-08-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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